高价回收单晶硅 单晶硅 振鑫焱24小时服务
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,债务偿还,返工,光伏模块回收等。
四、 铝珠:
铝珠产生的根本原因是过烧,铝的熔点是660℃,当铝受热超过这一温度时,铝颗粒熔化形成了铝珠。通常,烧结炉的设置温度都远高于这一温度,这里所说的660℃是指电池片表面实际感受的温度,设置的温度虽高,由于烧结炉带速很快,铝层实际感受到的温度是远低于设置温度的。
解决这一问题的办法是降下烧结区温度,或是加快烧结炉的带速,减少热量的给予。此法效果非常明显,铝珠可得到有效控制。另一方面过分降温会损失电池片的电性能数据,那么降到什么程度呢,我们的经验是,降温到电池片背面手感略微粗糙即可。
五、 铝刺:
1、 背场印刷表面不均匀:检查刮条的平整度;
2、 烧结网带不洁净:清洗网带或对忘带进行打磨;
3、 烧结网带抖动严重:由设备人员来调整网带;
4、 烧结温度过高:不影响电性能的情况下降下烧结温度;
电池片的检验
电池片的检验
一十三、印刷图型
主栅线:
A级:主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显,断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)
新的规范:主栅大小匀称,不容许有断开,回收单晶硅电话,缺少、歪曲及其突显。
B级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)
新的规范:主栅大小匀称,容许有断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)
C级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况
新的规范:主栅线:断开,回收单晶硅厂家,缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm,
副栅线:
A级:副栅线容许大小不匀称,存有总宽超过0.13mm,低于18mm的副栅线,段栅线≤6条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的5%.
新的规范:副栅线清楚,容许有两根栅线存有断开,断掉总数≤3条,断掉间距≤0.5mm;不容许有一切虚印、粗点;不容许有掉色状况。
B级:容许大小不匀称,存有总宽≤0.25mm的副栅线,段栅线≤10条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的10%.
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,债务偿还,返工,光伏模块回收等。
影响因素
1. 温度
温度 T 越高,扩散系数 D 越大,扩散速度越快。
2. 时间
对于恒定源:时间 t 越长结深越深,单晶硅,但表面浓度不变。
对于限定源:时间 t 越长结深越深,表面浓度越小。
3. 浓度
决定浓度是因素:氮气流量、源温。
表面浓度越大,扩散速度越快。
4. 第三组元
主要是掺硼量对扩散的影响,杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时,扩散系数也会发生变化。掺硼量越大,扩散速率越快。即电阻率越小,越容易扩散。
控制点
方块电阻,外观,单片均匀性,整管均匀性。
方块电阻: 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 R= 电阻率 *L/S, 对方块硅片,长度等于宽度,则 R= 电阻率 / 厚度,方块电阻~ ( 1/ Ns*Xj) Ns :电化学浓度, Xj :扩散结深。
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