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IBM和英特尔的研究人员与工程师们将在下周于旧金山举行的国际电子设备会议(IEDM)上详细阐述他们在应变硅技术(strained silicon)方面取得的进展。应变硅技术是一项新的制造技术，预计可把处理器的性能提高20%。

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变硅技术与双闸极式(double-gate)和三闸极式(triple-gate)晶体管，绝缘件(SOI)硅片等Zui新设计思想一样，使芯片制造商们能够维持摩尔定律建立起来的性能曲线，这个半

导体行业的原理称：每两年制造商们就会把芯片内晶体管的数目增加一倍。但是处理器的性能提高的同时又产生了其它问题，比如能量消耗更大等，这就促使设计者们去寻找有创造性的解决方案。 

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1787年，拉瓦锡首次发现硅存在于岩石中。[2]1800年，戴维将其错认为一种化合物。[2]1811年盖-吕萨克和泰纳尔（Thenard, Louis Jacques）加热钾和四氟化硅得到不纯的无定形硅，根据拉丁文silex（燧石）命名为silicon。[2]1811年，Gay-Lussac和Thenard以矽（硅）的四氟化物与碱土金属反应，发现在反应当中生成赤褐色的化合物（可能是含不纯物无定形的矽）。[3]