回收单晶硅光伏组件来电咨询“本信息长期有效”

回收碎电池片价格及其用法

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，无界限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。 

收购碎电池片在电力能源运用中是很关键的1个一部分，碎充电电池的收购不但有益于自然环境的维护，一起充电电池中的硅都是十分珍贵的資源。 

收购碎电池片价钱 

如今市面的碎电池片通常全是多晶硅及其多晶的硅片，价钱区段在5元/件~15元/件，制成品价钱会贵许多。有的价钱在100元/件~300元/件中间，价钱供参考，期待能协助到诸位。

收购碎电池片是啥收购碎电池片是综合利用的这种。指从废弃物中提取的有效化学物质历经物理学或机械加工制造变成再运用的工艺品。比如废夹层玻璃、废旧金属、废旧电池等的综合利用。并指以将再度转让的方法回收二手货。电池片中带有原生态硅，关键收购的就是说硅。

电池片的检验

电池片的检验

一十三、印刷图型 

主栅线： 

A级：主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显，断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄） 

新的规范：主栅大小匀称，不容许有断开，缺少、歪曲及其突显。 

B级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄） 

新的规范：主栅大小匀称，容许有断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄） 

C级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况 

新的规范：主栅线：断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm， 

副栅线： 

A级：副栅线容许大小不匀称，存有总宽超过0.13mm，低于18mm的副栅线，段栅线≤6条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的5%.

新的规范：副栅线清楚，容许有两根栅线存有断开，断掉总数≤3条，断掉间距≤0.5mm；不容许有一切虚印、粗点；不容许有掉色状况。 

B级：容许大小不匀称，存有总宽≤0.25mm的副栅线，段栅线≤10条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的10%. 

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，债务偿还，返工，光伏模块回收等。

刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 PN 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。

化学公式： CF 4 +SIO 2 =SIF 4 +CO 2

工艺流程

预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽   ，充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4.   压力

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。